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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：1986     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究 期刊论文 物理学报, 1986, 期号: 7, 页码: 965-968+970-974 张京,刘安生,吴自勤,郭可信 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/12 Si薄膜:5337  Pd膜:5131  透射电子显微镜:3251  固相反应:3190  外延:2777  织构:2552  退火温度:1741  衍射图:1698  图版:1556  取向关系:1360   急冷BNi2条带的结构不均匀性及其晶化亚稳相 期刊论文 金属学报, 1986, 期号: 4, 页码: 102-107+155-156 吴玉琨 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/12 结构不均匀性:5272  亚稳相:4161  纤维织构:3340  主要作用:2645  点阵常数:2629  射线衍射:2544  面心立方:2515  非晶合金晶化:2417  非晶结构:2379  急冷合金:2346   AN HREM STUDY OF DEFECTS AT THE PD2SI/SI(111) INTERFACE 期刊论文 Philosophical Magazine a-Physics of Condensed Matter Structure Defects and Mechanical Properties, 1986, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 677-685 J. Zhang; K. H. Kuo; Z. Q. Wu 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/04/14 多晶硅膜的高压氧化 期刊论文 半导体学报, 1986 张爱珍; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/11/11 硅膜  高压氧化  加速氧化  氧化特性  氧化速率  氧化层厚度  薄层电阻  氧化时间  硅衬底  扩散结   非金属原子在Si(111)表面单重顶位上的化学吸附研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 1986, 期号: 02 陈福荫; 刘洪霖 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/29 半导体-电解液光电极体系研究 Ⅴ.聚苯胺膜对半导体光阳极的保护作用 期刊论文 太阳能学报, 1986, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 99-111 宋天平; 王玉江; 糜天英 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/06/14 半导体光电极  体系研究  GaAs  光阳极  保护作用  聚苯胺膜  光扫描  电解液