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| 摄动权余法及在薄板大挠度问题上的应用 期刊论文
固体力学学报, 1986, 期号: 4, 页码: 347-354
作者: 孙博华
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| Semiconductor laser drive method 专利
专利号: JP1986296539A, 申请日期: 1986-12-27, 公开日期: 1986-12-27
作者: KOJIMA KUNIO
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1986296783A, 申请日期: 1986-12-27, 公开日期: 1986-12-27
作者: OTOSHI SO; UOMI KAZUHISA; NAKATSUKA SHINICHI; KAYANE NAOKI; KAJIMURA TAKASHI
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| Semiconductor light-emitting element 专利
专利号: JP1986296786A, 申请日期: 1986-12-27, 公开日期: 1986-12-27
作者: HOSODA MASAHIRO; MORIMOTO TAIJI; HAYASHI HIROSHI; YAMAMOTO SABURO
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| Optical waveguide apparatus and method for manufacturing 专利
专利号: US4630883, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者: TAYLOR, HENRY F.; SIGEL, GEORGE H.; GINGERICH, MICHAEL E.
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| Semiconductor light-emitting device 专利
专利号: JP1986292389A, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者: IMAI HAJIME
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1986292390A, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者: SUDO HISAO
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| Production of optical semiconductor module 专利
专利号: JP1986289309A, 申请日期: 1986-12-19, 公开日期: 1986-12-19
作者: YOSHINO KAORU; IKEDA MASAHIRO; NAGAOKA SHINJI; TACHIKAWA YOSHIAKI
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| Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1986287290A, 申请日期: 1986-12-17, 公开日期: 1986-12-17
作者: YAMAMOTO SABURO; MORIMOTO TAIJI; MAEI SHIGEKI; MIYAUCHI NOBUYUKI
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Liquid-phase epitaxial growth method and equipment therefor 专利
专利号: JP1986287221A, 申请日期: 1986-12-17, 公开日期: 1986-12-17
作者: HAYASHI HIROSHI; MORIMOTO TAIJI; YAMAMOTO SABURO
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