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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：1986     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Integrated semiconductor laser 专利 专利号: JP1986244087A, 申请日期: 1986-10-30, 公开日期: 1986-10-30 作者:  KITAMURA MITSUHIRO 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 Bipolar transistor 专利 专利号: JP1986131491A, 申请日期: 1986-06-19, 公开日期: 1986-06-19 作者:   收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利 专利号: JP1986125099A, 申请日期: 1986-06-12, 公开日期: 1986-06-12 作者:  SUDO HISAO 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 A closure theory of intermittency of turbulence 期刊论文 Physics of Fluids, 1986, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 2165-2171 作者:  Qian J 收藏  |  浏览/下载：1276/67  |  提交时间：2009/08/03 CORRELATION BETWEEN ENRICHMENT FACTORS AND RESIDENCE TIMES OF REE IN MARINE SYSTEM 期刊论文 Science Bulletin, 1986, 期号: 3, 页码: 197-199 作者:  Chai ZF(柴之芳);  Mao XY(毛雪瑛);  Ma SL(马淑兰) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/12/07 residence  neutron  enrichment  describing  uranium  listed  determ  fission  magnitude  drill   THE DETERMINATION OF VIBRATIONAL RELAXATION RATE OF PbS* A (0(+)) BY LASER-INDUCED FLUORESCENC TECHNIQUE 期刊论文 acta physico-chimica sinica, 1986, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 573-575 作者:  Shen Guanlin;  Ning Baogang;  Li Xuechu;  Lou Nanquan 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/11/12