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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1986292390A, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者:  SUDO HISAO
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Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1986251184A, 申请日期: 1986-11-08, 公开日期: 1986-11-08
作者:  IKEDA MINORU
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Manufacture of semiconductor laser device 专利
专利号: JP1986232691A, 申请日期: 1986-10-16, 公开日期: 1986-10-16
作者:  SUSA FUMIKO;  ITO KUNIO;  WADA MASARU;  SHIMIZU YUICHI
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Assembling method of semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1986198793A, 申请日期: 1986-09-03, 公开日期: 1986-09-03
作者:  ISHII MITSUO
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Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1986168283A, 申请日期: 1986-07-29, 公开日期: 1986-07-29
作者:  HAKAMATA ISAO;  SHIMIZU AKIRA;  NOJIRI HIDEAKI;  HARA TOSHITAMI;  SEKIGUCHI YOSHINOBU
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Semiconductor device 专利
专利号: JP1986119051A, 申请日期: 1986-06-06, 公开日期: 1986-06-06
作者:  UCHIUMI KAZUAKI;  KUROKAWA YASUHIRO;  TAKAMIZAWA HIDEO;  KAMATA TORU;  NOGUCHI SHOZO
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1986078187A, 申请日期: 1986-04-21, 公开日期: 1986-04-21
作者:  ITO TATSUYA;  HASHIMOTO HIROKAZU
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Semiconductor light-emitting element and manufacture thereof 专利
专利号: JP1986064184A, 申请日期: 1986-04-02, 公开日期: 1986-04-02
作者:  IIZUKA YOSHIO
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N,N-二仲辛基氨基乙酸萃取金(III) 期刊论文
科学通报, 1986, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 1320-1324
章健民; 章爱铀; 何振宇; 袁承业; 周莉影; 涂通源
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溶剂萃取选择性分离金 期刊论文
贵金属, 1986, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 15-21
蔡旭琪; 张维霖; 周莉影
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