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西安光学精密机械研究... [2]
金属研究所 [1]
化学研究所 [1]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
1985 [4]
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发表日期:1985
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Semiconductor device
专利
专利号: JP1985229386A, 申请日期: 1985-11-14, 公开日期: 1985-11-14
作者:
MAMINE TAKAYOSHI
;
ODA TATSUJI
;
IMAI TOSHIHIRO
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提交时间:2020/01/18
热解氮化硼在分子束外延中的应用
期刊论文
真空科学与技术, 1985, 期号: 4, 页码: 59-62
黄运衡
;
赵凤鸣
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/04/12
分子束外延生长:7211
氮化硼:4324
热解:2616
纯度:2045
真空性能:1927
陶瓷材料:1824
源材料:1781
单晶薄膜:1763
高纯石墨:1681
火花源质谱:1449
Manufacture of semiconductor light-emitting device
专利
专利号: JP1985158683A, 申请日期: 1985-08-20, 公开日期: 1985-08-20
作者:
HASHIMOTO TOSHIO
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提交时间:2020/01/13
ELECTRONIC-STRUCTURES OF THE PI-PI-TYPE CHARGE-TRANSFER COMPLEXES OF PYRIDINE WITH BORON TRIHALIDES
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF QUANTUM CHEMISTRY, 1985, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 465-473
作者:
YAN, JM
;
ZHAO, JG
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提交时间:2019/04/09
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