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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1983225682A, 申请日期: 1983-12-27, 公开日期: 1983-12-27
作者:  TANAKA TOSHIO;  KUME ICHIROU;  SOGOU TOSHIO;  TAKAMIYA SABUROU
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Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1983196089A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者:  FUKUZAWA TADASHI
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Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1983178525A, 申请日期: 1983-10-19, 公开日期: 1983-10-19
作者:  MORIMOTO MASAHIRO;  HORI KENICHI
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1983087890A, 申请日期: 1983-05-25, 公开日期: 1983-05-25
作者:  TSUJI SHINJI;  NAKAYAMA YOSHINORI;  HIRAO MOTONAO;  MORI TAKAO;  MIZUISHI KENICHI
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Etching method for compound semiconductor 专利
专利号: JP1983053834A, 申请日期: 1983-03-30, 公开日期: 1983-03-30
作者:  ASAI HIROKO;  OKAJIMA MASASUE;  MOGI NAOTO
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1983053825A, 申请日期: 1983-03-30, 公开日期: 1983-03-30
作者:  MOGI NAOTO;  OKAJIMA MASASUE;  ASAI HIROKO
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
THE INFLUENCE OF THE ZERO-POINT OSCILLATION ON THE CHARGE-TRANSFER IN THE HEAVY-ION DEEP-INELASTIC COLLISIONS 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 1983, 卷号: 3, 页码: 101-106
作者:  GE, LX;  SHEN, WQ;  YU, CF
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以三辛基十二烷基季铵---IO 缔合物为电活性质的PVC膜IO4选择电极的研制 期刊论文
离子选择性电极通讯, 1983, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 40-42
刘成梁; 袁群
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季铵盐结构与高氯酸根离子选择电极性能关系的研究 期刊论文
化学学报, 1983, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 139-143
高芷芳; 袁群; 罗家珍; 盛怀禹
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铵盐离子对中有机阴离子交换排序的研究 期刊论文
有机化学, 1983, 期号: 3, 页码: 199-201,187
高芷芳; 盛怀禹
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