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| Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1983225682A, 申请日期: 1983-12-27, 公开日期: 1983-12-27 作者: TANAKA TOSHIO; KUME ICHIROU; SOGOU TOSHIO; TAKAMIYA SABUROU 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Semiconductor laser element 专利 专利号: JP1983196089A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15 作者: FUKUZAWA TADASHI 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Manufacture of semiconductor device 专利 专利号: JP1983178525A, 申请日期: 1983-10-19, 公开日期: 1983-10-19 作者: MORIMOTO MASAHIRO; HORI KENICHI 收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1983087890A, 申请日期: 1983-05-25, 公开日期: 1983-05-25 作者: TSUJI SHINJI; NAKAYAMA YOSHINORI; HIRAO MOTONAO; MORI TAKAO; MIZUISHI KENICHI 收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Etching method for compound semiconductor 专利 专利号: JP1983053834A, 申请日期: 1983-03-30, 公开日期: 1983-03-30 作者: ASAI HIROKO; OKAJIMA MASASUE; MOGI NAOTO 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Manufacture of semiconductor device 专利 专利号: JP1983053825A, 申请日期: 1983-03-30, 公开日期: 1983-03-30 作者: MOGI NAOTO; OKAJIMA MASASUE; ASAI HIROKO 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| THE INFLUENCE OF THE ZERO-POINT OSCILLATION ON THE CHARGE-TRANSFER IN THE HEAVY-ION DEEP-INELASTIC COLLISIONS 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 1983, 卷号: 3, 页码: 101-106 作者: GE, LX; SHEN, WQ; YU, CF 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2018/07/16 |
| 以三辛基十二烷基季铵---IO 缔合物为电活性质的PVC膜IO4选择电极的研制 期刊论文 离子选择性电极通讯, 1983, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 40-42 刘成梁; 袁群 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2013/03/13 |
| 季铵盐结构与高氯酸根离子选择电极性能关系的研究 期刊论文 化学学报, 1983, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 139-143 高芷芳; 袁群; 罗家珍; 盛怀禹 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2013/03/04 |
| 铵盐离子对中有机阴离子交换排序的研究 期刊论文 有机化学, 1983, 期号: 3, 页码: 199-201,187 高芷芳; 盛怀禹 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2013/03/04 |