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| 泥石流与自然保护 专著章节文集论文 重庆:科学技术出版社重庆分社, 1981, 页码: 50-53 作者: 罗德富; 李椷 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/10/12
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| - 专利 专利号: JP1981040512B2, 申请日期: 1981-09-21, 公开日期: 1981-09-21 作者: - 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| - 专利 专利号: JP1981040511B2, 申请日期: 1981-09-21, 公开日期: 1981-09-21 作者: - 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Semiconductor device 专利 专利号: JP1981118385A, 申请日期: 1981-09-17, 公开日期: 1981-09-17 作者: FUKUDA HIROKAZU; SHINOHARA KOUJI; ITOU MICHIHARU 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Electrode structure for semiconductor element 专利 专利号: JP1981107576A, 申请日期: 1981-08-26, 公开日期: 1981-08-26 作者: KONNO KAZUTOSHI 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Method of growing a doped III-V alloy layer by molecular beam epitaxy and a semiconductor device comprising a semiconductor substrate bearing an epitaxial layer of a doped III-V alloy grown by such a method 专利 专利号: EP0031180A2, 申请日期: 1981-07-01, 公开日期: 1981-07-01 作者: ROBERTS, JOHN STUART 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Photo semiconductor device 专利 专利号: JP1981066079A, 申请日期: 1981-06-04, 公开日期: 1981-06-04 作者: KANEKO TOSHIAKI 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1981027988A, 申请日期: 1981-03-18, 公开日期: 1981-03-18 作者: AKIBA SHIGEYUKI; SAKAI KAZUO; MATSUSHIMA HIROICHI; YAMAMOTO TAKAYA 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| SPECTROPHOTOMETRIC STUDY OF THE REACTION OF MESO-TETRA-(3-N-METHYLPYRIDYL) PORPHYRIN WITH LEAD 期刊论文 化学学报, 1981 TONG, SY; WANG, LY; FAN, J 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/13 |
| EXPERIMENTAL SEARCH FOR HIGH ENERGY γ-RAYS IN THE SPONTANEOUS FISSIONS OF ~(252)Cf 期刊论文 A Monthly Journal of Science, 1981, 期号: 10, 页码: 955 作者: Zhang HQ(张焕乔); Ding SY(丁声耀); Liu ZH(刘祖华); Liu SM(刘绍明); Tang XW(唐孝威) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2015/12/07
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