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Method of growing a doped III-V alloy layer by molecular beam epitaxy and a semiconductor device comprising a semiconductor substrate bearing an epitaxial layer of a doped III-V alloy grown by such a method 专利
专利号: EP0031180A2, 申请日期: 1981-07-01, 公开日期: 1981-07-01
作者:  ROBERTS, JOHN STUART
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Method of modulating semiconductor laser at high speed 专利
专利号: JP1981001590A, 申请日期: 1981-01-09, 公开日期: 1981-01-09
作者:  ROI RANGU
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Lime potential of soil as directly measured with two ion-selecctive electrodes 期刊论文
Z.Pflanzenernahr.Bodenkd, 1981, 卷号: 114, 期号: 5
Wang Ching-hua,Yu Tian-ren
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季铵-氟硅酸离子缔合物用作氟硅酸离子选择电极的研究 期刊论文
离子选择性电极通讯, 1981, 期号: 4, 页码: 82
刘成梁; 向丽娟; 袁群
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PVC膜高氯酸根离子选择电极的研制 期刊论文
有机化学, 1981, 页码: 259-263
高芷芳; 袁群; 盛怀禹
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离子选择性电极的活性物质三庚基十二烷基碘化季铵的制备和性能 期刊论文
分析化学, 1981, 卷号: 9, 页码: 319-321
袁群; 罗家珍
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用氟离子选择电极方法测定四氟乙烯与全氟[3,6-二氧杂4-甲基Δ^7辛基磺酰氟]共聚物的交换容量 期刊论文
有机化学, 1981, 页码: 25-27
沈中和; 龚世椿; 蒋百丰; 张根妹; 成为宏
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苦味酸根离子选择性电极的研制及其性能研究 期刊论文
化学学报, 1981, 卷号: 39, 页码: 719-726
胡振元; 钱锡兴; 陈菊珍; 杨秀林; 袁群
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THE EARLY STAGES OF OXIDATION OF ION-IMPLANTED NICKEL AT HIGH-TEMPERATURE 期刊论文
OXIDATION OF METALS, 1981, 卷号: 16, 期号: 5-6, 页码: 409-426
PEIDE, Z; STOTT, FH; PROCTER, RPM; GRANT, WA
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2012/03/25
A NEW POTENTIOMETRIC METHOD FOR THE DETERMINATION OF TANTALUM IN ALLOYS USING TAF6 ION-SELECTIVE ELECTRODE 期刊论文
ACTA CHIMICA SINICA, 1981, 卷号: 39, 期号: 7-9, 页码: 940-944
ZHANG, GX; FU, HZ; CHEN, WX; WANG, HJ
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2012/03/25


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