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Trap doped laser combined with photodetector 专利
专利号: US4300107, 申请日期: 1981-11-10, 公开日期: 1981-11-10
作者:  COPELAND, III, JOHN A.
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Method of growing a doped III-V alloy layer by molecular beam epitaxy and a semiconductor device comprising a semiconductor substrate bearing an epitaxial layer of a doped III-V alloy grown by such a method 专利
专利号: EP0031180A2, 申请日期: 1981-07-01, 公开日期: 1981-07-01
作者:  ROBERTS, JOHN STUART
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31
Mode stabilized semiconductor laser 专利
专利号: WO1981001221A1, 申请日期: 1981-04-30, 公开日期: 1981-04-30
作者:  COPELAND J
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n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和霍尔迁移率 期刊论文
1981
黄美纯
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/06/29
THE LINE QUALITY FACTOR AND THE SELECTION OF OPTIMUM MEASUREMENT CONDITION IN INELASTIC ELECTRON-TUNNELING SPECTROSCOPY 期刊论文
PHYSICA B & C, 1981, 卷号: 108, 期号: 1-3, 页码: 1173
Li, HC; SHEN, HX
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/23
COADSORPTION OF OXYGEN WITH CARBON ON NICKEL SURFACE INDUCED BY ELECTRON-BEAM BOMBARDMENT OF RESIDUAL GASES 期刊论文
Applied Surface Science, 1981, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 465-471
R. S. Li; D. G. Ren; T. S. Xie
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/04/14
THEORETICAL CALCULATION ON THE SUDDEN INCREASE OF THE ELECTRON FLUX AT GEOSYNCHRONOUS ALTITUDE DURING MAGNETOSPHERIC SUBSTORMS 期刊论文
acta geophysica sinica, 1981
LIU, ZX; YU, HZ; PU, ZY; WANG, YD
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/16
AN ELECTRON MICROSCOPIC STUDY ON UNIDENTIFIED VIRUSES ISOLATED FROM SEVERAL ORGANS OF KESHAN DISEASE SUFFERERS 期刊论文
A Monthly Journal of Science, 1981
翟中和; 苏诚钦; 李靖
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再论“供电基与吸电基"的变动问题 期刊论文
有机化学, 1981, 期号: 5, 页码: 382-385
曾广植
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/03/11
非均匀介质中电磁级联方程的统一解析解 期刊论文
高能物理与核物理, 1981, 期号: 1, 页码: 47-54
作者:  彭守礼;  赵树松
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/12/21

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