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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Compact and Efficient Wideband Variable Gain LNA MMIC on InGaAs pHEMT 会议论文 PROCEEDINGS OF 2019 16TH INTERNATIONAL BHURBAN CONFERENCE ON APPLIED SCIENCES AND TECHNOLOGY (IBCAST), 2019-01-01 作者:  Dilshad, Umar;  Chen, Chen;  Miao, Jungang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 Variable Gain Amplifier (VGA)  Low Noise Amplifier (LNA)  Voltage Controlled Amplifier  VGLNA  MMIC  GaAs  p-HEMT  wideband   p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process 期刊论文 IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 卷号: 5, 页码: 340-346 作者:  Zhou, Yu[1];  Zhong, Yaozong[2];  Gao, Hongwei[3];  Dai, Shujun[4];  He, Junlei[5] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/24 Enhancement-mode  HEMT  p-GaN gate  self-terminated etching   Deep centers investigations of p-hemt functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by mbe 期刊论文 Acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376 作者:  Lu, LW;  Zhang, YH;  Wang, J;  Ge, W 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy growth  P-hemt and hemt functional materials  Deep centers   Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376 Lu LW; Zhang YH; Wang J; Ge W 收藏  |  浏览/下载：136/11  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy growth  P-HEMT and HEMT functional materials  deep centers  ALXGA1-XAS  EPITAXY  TRENDS