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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响 期刊论文 《半导体光电》, 2013, 页码: 59-61 作者:  高芳亮[1];  管云芳[1];  李国强[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/25 氮化铟  氮化  RF-MBE  单晶薄膜   蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展 期刊论文 《半导体光电》, 2013, 页码: 180-185 作者:  管云芳[1];  高芳亮[1];  李国强[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/25 氮化铟  单晶薄膜  MOCVD  RF-MBE 溅射技术  HVPE   蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响 期刊论文 2012, 2012 曾兆权; 王勇; 杜小龙; 梅增霞; 孔祥和; 贾金锋; 薛其坤; 张泽 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/06/16 Ga浸润层  蓝宝石  极性  缺陷密度  ZnO  RF-MBE  RHEED  HRXRD  TEM  CBED   Epitaxial growth of alingan quaternary alloys by rf-mbe 期刊论文 Journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  Wang Bao-Zhu;  Wang Xiao-Liang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Alingan  Rf-mbe  Structural properties  Optical properties   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Growth and characterization of inn on sapphire substrate by rf-mbe 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 3-4, 页码: 401-406 作者:  Xiao, HL;  Wang, XL;  Wang, JX;  Zhang, NH;  Liu, HX 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Rf-mbe  X-ray diffraction  Inn   RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN／GaNHEMT结构 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 5，1116-1120 作者:  李晋闽;  曾一平;  王晓亮;  王翠梅;  胡国新 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管  Gan  二维电子气  Rf-mbe  功率器件   RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘新宇;  刘键 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管  氮化镓  场效应晶体管  Rf—mbe