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Pristine and Cu decorated hexagonal InN monolayer, a promising candidate to detect and scavenge SF6 decompositions based on first-principle study
期刊论文
JOURNAL OF HAZARDOUS MATERIALS, 2019, 卷号: 363
作者:
Chen, Dachang
;
Zhang, Xiaoxing
;
Tang, Ju
;
Cui, Zhaolun
;
Cui, Hao
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/12/05
InN monolayer
Cu atom
First-principle study
SF6 decompositions
Gas detecting and scavenging
First-principles insight into Ni-doped InN monolayer as a noxious gases scavenger
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 494
作者:
Cui, Hao
;
Zhang, Xiaoxing
;
Li, Yi
;
Chen, Dachang
;
Zhang, Ying
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/05
Ni-InN monolayer
Small gases
First-principles theory
Chemical sensors
Ru-InN Monolayer as a Gas Scavenger to Guard the Operation Status of SF6 Insulation Devices: A First-Principles Theory
期刊论文
IEEE SENSORS JOURNAL, 2019, 卷号: 19, 期号: 13
作者:
Cui, Hao
;
Liu, Tun
;
Zhang, Ying
;
Zhang, Xiaoxing
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/05
Ru-InN monolayer
SF6 insulation devices
first-principles theory
gas scavenger
GaN/InN核壳纳米线制备及应用研究
学位论文
: 西安理工大学, 2018
作者:
祁庆平
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
GaN
InN
核壳纳米线
异质结构
化学气相沉积
第一性原理
光学性能
Electronic Structures and Optical Properties of Ga Doped Single-Layer Indium Nitride
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 313-317
作者:
Li, ZW
;
Guo, DP
;
Huang, GY
;
Tao, WL
;
Duan, MY
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/17
LIGHT-EMITTING-DIODES
INN
TRANSITION
TRANSPORT
BLUE
Effects of Strain in Low-Dimensional Semiconductor Structures
期刊论文
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 9, 页码: 1066-1082
作者:
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Liu, Y.
;
Cheng, S. Y.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/11/21
GaAs
Quantum Wells
Nanowires
ZnO
Si
InGaN
Strain
Ge
GaN
InN
InGaAs
Quantum Dots
Selective-Area Growth of Transferable InN Nanocolumns by Using Anodic Aluminum Oxide Nanotemplates
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 卷号: 12
作者:
Wang, Xiao
;
Zhang, Guozhen
;
Xu, Yang
;
Wu, Hao
;
Liu, Chang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
InN nanocolumns
Anodic aluminum oxide
Selective-area growth
A comparative study on magnetic properties of Mo doped AlN, GaN and InN monolayers from first-principles
期刊论文
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: Vol.524, 页码: 47-52
作者:
Xiao, Gang
;
Wang, Ling-Ling
;
Rong, Qing-Yan
;
Xu, Hai-Qing
;
Xiao, Wen-Zhi
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/31
AlN, GaN and InN monolayer
First-principles
Electronic structures
Itinerant electrons ferromagnetism
InN与InGaN薄膜材料的光学特性研究
学位论文
2016, 2016
叶春芽
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/20
InN
InGaN
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InN
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