已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| High-performance solid-state photon-enhanced thermionic emission solar energy converters with graded bandgap window-layer 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 5 作者: Yang, Yang; Xu, Peng; Cao, Weiwei; Zhu, Bingli; Wang, Bo 收藏  |  浏览/下载:62/0  |  提交时间:2020/12/08
|
| AlGaAs插入层对InAs/AlGaAs/GaAs量子点的尺寸分布影响 期刊论文 2018, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 39-43 作者: 张之桓; 丁召; 王一; 郭祥; 罗子江 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/05
|
| GaAs/AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验 期刊论文 红外与毫米波学报, 2016, 卷号: 35, 页码: 407-411 作者: 余成章[1]; 靳川[2]; 白治中[3]; 陈建新[4] 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/04/26
|
| 基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制 期刊论文 半导体光电, 2016, 卷号: 37, 页码: 688-693 作者: 卢建娅[1]; 谭明[2]; 杨文献[3]; 陆书龙[4]; 张玮[5] 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/04/26
|
| Spin-orbit coupling effects on the in-plane optical anisotropy of semiconductor quantum wells 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23 作者: Yu Jin-Ling; Chen Yong-Hai; Lai Yun-Feng; Cheng Shu-Ying 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/11/21
|
| Comparison for the carrier mobility between the Ⅲ-Ⅴ nitrides and AlGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors 期刊论文 半导体学报(英文版), 2014, 期号: 9, 页码: 65-70 作者: Luan Chongbiao; Lin Zhaojun; Lü Yuanjie; Feng Zhihong; Zhao Jingtao 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/17
|
| Comparison for the carrier mobility between the III–V nitrides and AlGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 期号: 09, 页码: 69-74 作者: Luan CB(栾崇彪); Lin ZJ(林兆军); Lv YJ(吕元杰); Feng ZH(冯志红); Zhao JT(赵景涛) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/17
|
| Comparison for the carrier mobility between the III-V nitrides and AlGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: 35, 期号: 9 作者: Luan, Chongbiao; Lin, Zhaojun; , Yuanjie; Feng, Zhihong; Zhao, Jingtao 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/17
|
| III-V族化合物半导体微结构红外探测器研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者: 金巨鹏 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2012/09/11
|
| GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析 期刊论文 2012, 2012 田彦宝; 吉元; 王俊忠; 张隐奇 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2017/06/16
|