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| 空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 梁晓雯
  收藏 | 浏览/下载：59/0 | 提交时间：2020/11/19
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| 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者: 马腾; 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 赵京昊
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2018/07/20
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| γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者: 马腾; 苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2018/10/18
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| O_3在栅氧清洗工艺中的研究和应用 学位论文
: 大连理工大学, 2018
作者: 唐小辉
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/02
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| 镍氢电池的内压特性及其管理系统硬件设计 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2011
毛王君
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2012/03/06
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| Electrical Characteristics and Reliability of MOSFET Capacitors with Ultra-thin Oxides 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2005
YANJU YU
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2012/03/06
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| PMOSFET的NBTI效应 会议论文
中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会, 重庆, 2004年10月1日
作者: 李若瑜 [1]; 李斌 [1]; 罗宏伟 [2]
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2019/04/18
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