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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ionizing radiation effect on 10-bit bipolar A/D converter 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2010, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 152-156 作者:  Chen Rui;  Lu Wu;  Ren Diyuan;  Zheng Yuzhan;  Wang Yiyuan 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/11/29 Bipolar Analog to Digital converters  (60)Co gamma Radiation  ELDRS  Bias condition   Dose-rate effects of low-dropout voltage regulator at various biases 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2010, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 352-356 作者:  Wang Yiyuan;  Lu Wu;  Ren Diyuan;  Zheng Yuzhan;  Gao Bo 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/11/29 Dose rate effects  ELDRS  Ionizing radiation  LDO voltage regulator   Impact of doped boron concentration in emitter on high- and low-dose-rate damage in lateral PNP transistors 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 3 作者:  Yuzhan, Zheng;  Wu, Lu;  Diyuan, Ren;  Yiyuan, Wang;  Zhikuan, Wang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/11/11 Annealing behavior of radiation damage in JFET-input operational amplifiers 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 60-64 作者:  Zheng, Yuzhan;  Lu, Wu;  Ren, Diyuan;  Wang, Yiyuan;  Guo, Qi 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/11/11 JFET-input operational amplifiers  dose rate  radiation damage  annealing behavior   Electron-induced damage to NPN transistors under different fluxes 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2008, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 333-336 作者:  Zheng Yuzhan;  Lu Wu;  Ren Diyuan;  Guo Qi;  Yu Xuefeng 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/11/11 Electron flux  NPN transistor  Radiation damage   Compare of total-dose irradiation effects between CMOS 4000 and 54HC devices 期刊论文 He Jishu/Nuclear Techniques, 2008, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 348-351 作者:  Wang Gaili;  Yu Xuefeng;  Ren Diyuan;  Zheng Yuzhan;  Sun Jing 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29