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Study on particle size effects on strength and crack coalescence behavior of rock during Brazilian splitting test 期刊论文
2016, 卷号: 47, 页码: 1272-1281
作者:  Huang, Yanhua[1];  Yang, Shengqi[1,2];  Ju, Yang[1];  Zhou, Xiaoping[3];  Zhao, Jian[1,4]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/30
复合地层中双护盾TBM与围岩相互作用机制三维数值模拟研究 期刊论文
岩石力学与工程学报, 2016, 卷号: 35, 期号: 03, 页码: 511-523
作者:  Cheng, Jianlong[1];  Yang, Shengqi[2];  Du, Likun[3];  Wen, Sen[4];  Zhang, Jianyi[5]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23
深部节理岩体TBM滚刀破岩效果及最优刀间距研究 期刊论文
采矿与安全工程学报, 2015, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 126-131
作者:  Sun, Jianzhong[1];  Yang, Shengqi[2];  Wen, Sen[3]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23
NBTI-Aware Circuit Node Criticality Computation 期刊论文
ACM JOURNAL ON EMERGING TECHNOLOGIES IN COMPUTING SYSTEMS, 2013, 卷号: 9
作者:  Yang, Shengqi[1];  Wang, Wenping[2];  Hagan, Mark[3];  Zhang, Wei[4];  Gupta, Pallav[5]
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/30
Proteomic analysis at the subcellular level for host targets against influenza A virus (H1N1) 期刊论文
ANTIVIRAL RESEARCH, 2013, 卷号: 100, 期号: 3, 页码: 673-687
作者:  Zhao, Haibao[1];  Yang, Jing[2];  Li, Kang[3];  Ding, Xiaoran[4];  Lin, Ruxian[5]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23
A Junctionless Nanowire Transistor With a Dual-Material Gate 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 页码: 1829-1836
作者:  Lou, Haijun[1];  Zhang, Lining[2];  Zhu, Yunxi[3];  Lin, Xinnan[4];  Yang, Shengqi[5]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/30
Power Analysis Attack Resistance Engineering by Dynamic Voltage and Frequency Scaling 期刊论文
ACM TRANSACTIONS ON EMBEDDED COMPUTING SYSTEMS, 2012, 卷号: 11
作者:  Yang, Shengqi[1];  Gupta, Pallav[2];  Wolf, Marilyn[3];  Serpanos, Dimitrios[4];  Narayanan, Vijaykrishnan[5]
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/30
A Physical Design Tool for Carbon Nanotube Field-Effect Transistor Circuits 期刊论文
ACM JOURNAL ON EMERGING TECHNOLOGIES IN COMPUTING SYSTEMS, 2012, 卷号: 8
作者:  Huang, Jiale[1];  Zhu, Minhao[2];  Yang, Shengqi[3];  Gupta, Pallav[4];  Zhang, Wei[5]
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/30
Numerical Study on Effect of Random Dopant Fluctuation on Double Gate MOSFET Based 6-T SRAM Performance 会议论文
NSTI Nanotechnology Conference and Expo, 2011-06-13
作者:  Zhang, Xiufang[1];  Ma, Chenyue[2];  Zhao, Wei[3];  Zhang, Chenfei[4];  Wang, Guozeng[5]
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Characteristics Sensitivity of FinFET to Fin Vertical Nonuniformity 会议论文
NSTI Nanotechnology Conference and Expo, 2011-06-13
作者:  Xu, Jiaojiao[1];  Ma, Chenyue[2];  Zhang, Chenfei[3];  Zhang, Xiufang[4];  Wu, Wen[5]
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