中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

西安交通大学 [19]

内容类型

会议论文 [16]

期刊论文 [3]

发表日期

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共19条，第1-10条

帮助

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728 作者: Xie, Ruiliang; Yang, Xu; Xu, Guangzhao; Wei, Jin; Wang, Yuru 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2019/11/19 Analytical approach GaN HEMTs Junction capacitances Physical behaviors Schottky junctions Switching transient Terminal measurements Threshold-voltage instabilities
	A fast IGBT model considering the dynamic performance of both IGBT and antiparallel diode 会议论文作者: Zhang, Feng; Yang, Xu; Xue, Wei; Xie, Ruiliang; Li, Yang 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/11/19 IGBT power electronics Thevenin equivalent fixed topology modelling
	A Passive Component Based Gate Drive Scheme for Negative Gate Voltage Spike Mitigation in a SiC-Based Dual-Active Bridge 会议论文作者: Tian, Yidong; Yang, Xu; Xie, Ruiliang; Huang, Lang; Liu, Tao 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2019/11/26 Gate drive scheme Negative gate voltage spike Magnetic bead SiC MOSFET
	Modeling the Gate Driver IC for GaN Transistor: A Black-Box Approach 会议论文作者: Xie, Ruiliang; Xu, Guangzhao; Yang, Xu; Tang, Gaofei; Wei, Jin 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/11/26 gate driver IC modeling black-box approach GaN transistor
	A fixed topology Thevenin equivalent integral model for modular multilevel converters 期刊论文 INTERNATIONAL TRANSACTIONS ON ELECTRICAL ENERGY SYSTEMS, 2018, 卷号: 28 作者: Zhang, Feng; Yang, Xu; Huang, Lang; Wang, Kangping; Xu, Guangzhao 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/11/26 stability electromagnetic transients (EMT) power electronics Thevenin equivalent modular multilevel converter (MMC)
	The Mitigating Effects of the Threshold Voltage Shifting on the False Turn-on of GaN E-HEMTs 会议论文作者: Xu, Guangzhao; Yang, Xu; Xie, Ruiliang; Zhang, Feng; Wang, Naizeng 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/11/26
	Switching transient analysis for normally-Off GaN transistors with p-GaN gate in a phase-Leg circuit 会议论文作者: Xie, Ruiliang; Xu, Guangzhao; Yang, Xu; Wang, Hanxing; Tian, Mofan 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2019/11/26 Analysis approach Dynamic behaviors Gallium Nitride (GaN) Gan transistors Intrinsic capacitance Static measurements Switching transient Threshold-voltage instabilities
	Research on erosion rate of contacts for MCCB in short circuit conditions 会议论文作者: Yin, Nairui; Liu, Hongwu; Guan, Ruiliang; Xie, Xinyi 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/11/26 Breaking process Circuit parameter Contact erosion Current interruption MCCB Oscillating circuits Short-circuit conditions Split electrode
	Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 会议论文作者: Xie, Ruiliang; Xu, Guangzhao; Yang, Xu; Wang, Hanxing; Tian, Mofan 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2019/11/26 switching transient analysis p-GaN gate phase-leg circuit normally-off GaN transistor
	An Analytical Model for False Turn-On Evaluation of High-Voltage Enhancement-Mode GaN Transistor in Bridge-Leg Configuration 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2017, 卷号: 32, 页码: 6416-6433 作者: Xie, Ruiliang; Wang, Hanxing; Tang, Gaofei; Yang, Xu; Chen, Kevin J. 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2019/11/26 false turn-on Bridge-leg configuration high-voltage enhancement-mode Gallium Nitride (E-mode GaN) transistor gate drive design consideration

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace