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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728 作者:  Xie, Ruiliang;  Yang, Xu;  Xu, Guangzhao;  Wei, Jin;  Wang, Yuru 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/19 Analytical approach  GaN HEMTs  Junction capacitances  Physical behaviors  Schottky junctions  Switching transient  Terminal measurements  Threshold-voltage instabilities   Thermal Design and Analysis of a Cable Charger Used for Portable Electronics 会议论文 作者:  Tian, Mofan;  Yang, Xu;  Wang, Naizeng;  Chen, Yang;  Wang, Laili 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/19 Chip junction temperatures  Flexible converter  Magnetic integration  Portable electronics  Reliability and safeties  Surface temperatures  Thermal designs  Thermal Performance   Thermal Design and Analysis of a Cable Charger Used for Portable Electronics 会议论文 作者:  Tian, Mofan;  Yang, Xu;  Wang, Naizeng;  Chen, Yang;  Wang, Laili 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/19 Magnetic integration  Portable electronics  Flexible converter  Thermal design   An Optimal Design Method Considering Transformer Parasitic Capacitance of LLC Resonant Converters 会议论文 作者:  Wang, Naizeng;  Yang, Xu;  Tian, Mofan;  Jia, Haiyang;  Xu, Guangzhao 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/26 Dead Time  LLC  Transformer Parasitic Capacitance  Optimal Design Method   The Mitigating Effects of the Threshold Voltage Shifting on the False Turn-on of GaN E-HEMTs 会议论文 作者:  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Xie, Ruiliang;  Zhang, Feng;  Wang, Naizeng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26 Switching transient analysis for normally-Off GaN transistors with p-GaN gate in a phase-Leg circuit 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Wang, Hanxing;  Tian, Mofan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/26 Analysis approach  Dynamic behaviors  Gallium Nitride (GaN)  Gan transistors  Intrinsic capacitance  Static measurements  Switching transient  Threshold-voltage instabilities   Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Wang, Hanxing;  Tian, Mofan 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/26 switching transient analysis  p-GaN gate  phase-leg circuit  normally-off GaN transistor   Instability Analysis of Enhancement-Mode GaN Based Half-Bridge Circuits 会议论文 作者:  Wang, Kangping;  Tian, Mofan;  Wang, Laili;  Yang, Xu 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26 Gallium nitride (GaN)  positive feedback  parasitic  reverse conduction  sustained-oscillation   Impact of Transformer Stray Capacitance on the Conduction Loss in a GaN-Based LLC Resonant Converter 会议论文 作者:  Wang, Naizeng;  Jia, Haiyang;  Tian, Mofan;  Li, ZhenWei;  Xu, GuangZhao 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26 conduction loss  efficiency  dead time  LLC resonant converter  transformer stray capacitance   Active gate charge control strategy for series-connected IGBTs 会议论文 作者:  Zhang, Fan;  Ren, Yu;  Tian, Mofan;  Yang, Xu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/02