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Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利
专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  
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Method for forming a low-defect epitaxial layer in the fabrication of semiconductor devices 专利
专利号: US6306675, 申请日期: 2001-10-23, 公开日期: 2001-10-23
作者:  TSONG, IGNATIUS S. T.;  SMITH, DAVID J.;  TORRES, VICTOR M.;  EDWARDS, JR., JOHN L.;  DOAK, R. BRUCE
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