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High f(T) AlGa(In)N/GaN HEMTs Grown on Si With a Low Gate Leakage and a High ON/OFF Current Ratio
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018
作者:
Zhu, Guangrun
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Sun, Qian(孙钱)
;
Chen, Tangsheng
;
Yang, Hui(杨辉)
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2019/03/27
On-wafer fabrication of cavity mirrors for InGaN-based laser diode grown on Si
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018
作者:
He, Junlei(何俊蕾)
;
Feng, Meixin(冯美鑫)
;
Zhong, Yaozong
;
Wang, Jin(王锦)
;
Zhou, Rui
收藏
  |  
浏览/下载:82/0
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提交时间:2019/03/27
Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018
作者:
Dai, Shujun(戴淑君)
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Zhou, Yu(周宇)
;
Zhong, Yaozong
;
Wang, Jin
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2019/03/27
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017
作者:
Zhou, Yu(周宇)
;
Zhong, Yaozong
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Dai, Shujun
;
He, Junlei
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2018/02/05
Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017
作者:
Zhong, Yaozong
;
Yu Zhou
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Dai, Shujun(戴淑君)
;
He, Junlei(何俊蕾)
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2018/02/06
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 卷号: 5, 页码: 340-346
作者:
Zhou, Yu[1]
;
Zhong, Yaozong[2]
;
Gao, Hongwei[3]
;
Dai, Shujun[4]
;
He, Junlei[5]
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/04/24
Enhancement-mode
HEMT
p-GaN gate
self-terminated etching
Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 420, 页码: 817-824
作者:
Zhong, Yaozong[1]
;
Yu Zhou[2]
;
Gao, Hongwei[3]
;
Dai, Shujun[4]
;
He, Junlei[5]
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/04/24
AlGaN/GaN
Etching self-termination
Enhancement-mode HEMT
TOF-SIMS
XPS
K-shell X-ray production in Silicon (Z(2)=14) by (1 <= Z(1) <= 53) slow ions
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 370, 页码: 10-13
作者:
Lei, Yu
;
Zhou, Xianming
;
Xiao, Guoqing
;
Liang, Changhui
;
Li, Yaozong
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/03/23
X-ray Production Cross Section
Quasi-molecular Model
Direct Ionization
Near Bohr Velocity
K-shell X-ray production in Silicon (Z(2)=14) by (1 <= Z(1) <= 53) slow ions
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 370, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 10-13
作者:
Lei, Yu
;
Zhao, Yongtao
;
Zhou, Xianming
;
Cheng, Rui
;
Wang, Xing
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/02
Quasi-molecular model
Near Bohr velocity
Direct ionization
X-ray production cross section
On the small fiber-coupled laser controller for animal robot
期刊论文
ASSEMBLY AUTOMATION, 2016, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 146-151
作者:
Wang, Haixia
;
Wang, Yuliang
;
Sun, Yaozong
;
Pu, Qiong
;
Lu, Xiao
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/16
Animal robot
Laser controller
Optogenetics
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