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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Synthesis of Surfactant-Free Cu-Pt Dendritic Heterostructures with Highly Electrocatalytic Performance for Methanol Oxidation Reaction 期刊论文 Materials Research Letters, 2016 作者:  S.D. Kang;  G.H. Gao;  X.B. Xie;  T. Shibayama;  Y.H. Lei 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/01/16 Study of the damage produced in 6H-SiC by He irradiation 期刊论文 VACUUM, 2011, 卷号: 86, 期号: 4, 页码: 452-456 作者:  Li, B. S.;  Yang, Y. T.;  Shibayama, T.;  Zhang, H. H.;  Zhang, C. H. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/10/15 tie irradiation  6H-SiC  Annealing  Lattice damage   Defect production in silicon carbide irradiated with Ne and Xe ions with energy of 2.3 MeV/amu 会议论文 作者:  Zhang, C. H.;  Sun, Y. M.;  Song, Y.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2018/08/20 4H-SiC  Ne ions  Xe ions  irradiation  TEM  defects   Defect production in silicon carbide irradiated with Ne and Xe ions with energy of 2.3 MeV/amu 会议论文 作者:  Zhang, C. H.;  Sun, Y. M.;  Song, Y.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/08/20 4H-SiC  Ne ions  Xe ions  irradiation  TEM  defects   Microstructural evolution in silicon implanted with chlorine ions 会议论文 作者:  Zhang, C. H.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F.;  Yang, Y. T.;  Zhou, L. H. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/08/20 silicon  chlorine  implantation  TEM  re-crystallization  defects   Microstructural evolution in silicon implanted with chlorine ions 会议论文 作者:  Zhang, C. H.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F.;  Yang, Y. T.;  Zhou, L. H. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/08/20 silicon  chlorine  implantation  TEM  re-crystallization  defects   Defect production in silicon carbide irradiated with Ne and Xe ions with energy of 2.3 MeV/amu 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 256, 期号: 1, 页码: 243-247 作者:  Zhang, C. H.;  Sun, Y. M.;  Song, Y.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/10/29 4H-SiC  Ne ions  Xe ions  irradiation  TEM  defects   Microstructural evolution in silicon implanted with chlorine ions 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 256, 期号: 1, 页码: 272-275 作者:  Zhang, C. H.;  Shibayama, T.;  Jin, Y. F.;  Yang, Y. T.;  Zhou, L. H. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 silicon  chlorine  implantation  TEM  re-crystallization  defects