QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Composition modulation by twinning in InAsSb nanowires 期刊论文 Nanotechnology, 2018 作者:  Schnedler Michael[1];  Xu Tao[2];  Portz Verana[3];  Nys Jean-Philippe[4];  Plissard Sébastien[5] 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/04/22 Composition modulation  Semiconductor nanowires  Ternary III-V compounds  Twin boundaries  scanning tunneling microscopy   Dislocation bending in GaN/step-graded (Al,Ga)N/AlN buffer layers on Si(111) investigated by STM and STEM 期刊论文 PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 2018, 卷号: 98, 期号: 34, 页码: 3072-3085 作者:  Zhang, Lei;  Portz, Verena;  Schnedler, Michael;  Jin, Lei;  Wang, Yuhan 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/11 Dislocation bending  step-graded (Al  Ga)N/AlN  cross-section scanning  tunnelling microscopy  nitrides on silicon