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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管 专利 专利号: CN103026561B, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2015-07-08 作者:   收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 包括多个MQW区的MQW激光器结构 专利 专利号: CN102246369B, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25 作者:  R·巴特;  J·内皮尔拉;  D·兹佐夫;  C-E·扎 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 具有含铟包层的半导体激光器 专利 专利号: CN103403985A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20 作者:  R·巴特;  D·S·兹佐夫;  C-E·扎 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 A1N衬底上的GaN激光器及其制造方法 专利 专利号: CN101689749B, 申请日期: 2011-06-08, 公开日期: 2011-06-08 作者:  R·巴特;  J·内皮尔拉;  D·兹佐夫;  C-E·扎 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 降低蓝移的InP基激光器 专利 专利号: CN1221520A, 申请日期: 1999-06-30, 公开日期: 1999-06-30 作者:  R·巴特 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18