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山东大学 [2]
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期刊论文 [2]
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2019 [1]
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Low-Voltage, Flexible InGaZnO Thin-Film Transistors Gated With Solution-Processed, Ultra-Thin AlxOy
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 36-39
作者:
Cai, Wensi
;
Wilson, Joshua
;
Zhang, Jiawei
;
Park, Seonghyun
;
Majewski, Leszek
收藏
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Indium-gallium-zinc-oxide
thin-film transistors (TFTs)
plastic
substrate
1 V operation
One-Volt IGZO Thin-Film Transistors With Ultra-Thin, Solution-Processed AlxOy Gate Dielectric
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 375-378
作者:
Cai, Wensi
;
Park, Seonghyun
;
Zhang, Jiawei
;
Wilson, Joshua
;
Li, Yunpeng
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) thin-film transistors (TFTs)
anodized
AlxOy
low operating voltage
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