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西安光学精密机械研究... [5]
西安理工大学 [3]
上海硅酸盐研究所 [1]
内容类型
专利 [5]
期刊论文 [4]
发表日期
2018 [4]
1986 [5]
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Preparation of biaxially textured Ce1-x(Y0.2Zr0.8)xOδ buffer layers on RABiTS NiW tapes by chemical solution deposition
期刊论文
Journal of the European Ceramic Society, 2018, 卷号: 38, 期号: 14, 页码: 4694-4700
作者:
Lei, Li
;
Li, Limin
;
Wang, Shasha
;
Zhao, Gaoyang
;
Oshima, Yoshifumi
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/12/28
Highly (001)-oriented zirconium-doped ceria films grown on biaxially textured nickel tungsten substrates through an inorganic-salts-based chemical solution deposition route
期刊论文
2018, 卷号: 44, 页码: 16025-16029
作者:
Lei, Li
;
Li, Limin
;
Wang, Shasha
;
Jia, Jiqiang
;
Zhao, Gaoyang
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/20
Epitaxial growth
YBCO
Buffer layer
Coated conductor
CeO2
Preparation of biaxially textured Ce1-x(Y0.2Zr0.8)(x)O-8 buffer layers on RABiTS NiW tapes by chemical solution deposition
期刊论文
2018, 卷号: 38, 页码: 4694-4700
作者:
Lei, Li
;
Li, Limin
;
Wang, Shasha
;
Zhao, Gaoyang
;
Oshima, Yoshifumi
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/20
CeO(2)buffer layer
Biaxially textured
Coated conductor
Chemical solution deposition
A compositional gradient Ce1-xZrxO2 buffer architecture for producing high-performance YBCO film
期刊论文
2018, 卷号: 142, 页码: 383-388
作者:
Lei, Li
;
Li, Limin
;
Wang, Shasha
;
Zhao, Gaoyang
;
Jia, Jiqiang
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/20
Gradient buffer architecture
Epitaxial growth
Ceria
YBCO
Lattice strain
Semiconductor laser
专利
专利号: JP1986148893A, 申请日期: 1986-07-07, 公开日期: 1986-07-07
作者:
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
;
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
KOMATSU HIROSHI
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
专利号: JP1986148892A, 申请日期: 1986-07-07, 公开日期: 1986-07-07
作者:
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
KOMATSU HIROSHI
;
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
专利号: JP1986145886A, 申请日期: 1986-07-03, 公开日期: 1986-07-03
作者:
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
KOMATSU HIROSHI
;
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
专利号: JP1986128589A, 申请日期: 1986-06-16, 公开日期: 1986-06-16
作者:
KOMATSU HIROSHI
;
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor photoelectronic device
专利
专利号: JP1986108187A, 申请日期: 1986-05-26, 公开日期: 1986-05-26
作者:
KOMATSU HIROSHI
;
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/31
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