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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Defect states in cubic gan epilayer grown on gaas by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 Physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685 作者:  Xu, SJ;  Or, CT;  Li, Q;  Zheng, LX;  Xie, MH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685 Xu SJ; Or CT; Li Q; Zheng LX; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：77/12  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-TRANSITIONS  PHOTOLUMINESCENCE   Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy 会议论文 4th international conference on nitride semiconductors (icns-4), denver, colorado, jul 16-20, 2001 Xu SJ; Or CT; Li Q; Zheng LX; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-TRANSITIONS  PHOTOLUMINESCENCE