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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of ultra-thin Si-fin body widths upon SOI PMOS FinFETs 期刊论文 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2018, 卷号: 32, 期号: 15 作者:  Liaw, Yue-Gie;  Chen, Chii-Wen;  Liao, Wen-Shiang;  Wang, Mu-Chun;  Zou, Xuecheng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05 SOI FinFET  threshold voltage (V-t)  drive current  short channel effect (SCE)  swing  transconductance (G(m))  drain-induced barrier lowering (DIBL)  source/drain resistance (R-SD)   Performance characteristics of p-channel FinFETs with varied Si-fin extension lengths for source and drain contacts 期刊论文 SEMICONDUCTORS, 2017, 卷号: 51, 期号: 12 作者:  Liaw, Yue-Gie;  Liao, Wen-Shiang;  Wang, Mu-Chun;  Chen, Chii-Wen;  Li, Deshi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 A high aspect ratio silicon-fin FinFET fabricated upon SOI wafer 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 卷号: 126 作者:  Liaw, Yue-Gie;  Liao, Wen-Shiang;  Wang, Mu-Chun;  Lin, Cheng-Li;  Zhou, Bin 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 SOI  FinFET  Threshold voltage  Drive current  Off currents  Subthreshold swing  DIBL  Transistor gate delay  TCAD simulation  Fully silicidation