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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of the photoluminescence from gallium nitride layers grown by mbe with an additional incident indium flux 期刊论文 Semiconductor science and technology, 1998, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 1469-1471 作者:  Foxon, CT;  Hooper, SE;  Cheng, TS;  Orton, JW;  Ren, GB 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Improvement of the photoluminescence from gallium nitride layers grown by MBE with an additional incident indium flux 期刊论文 semiconductor science and technology, 1998, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 1469-1471 Foxon CT; Hooper SE; Cheng TS; Orton JW; Ren GB; Ber BY; Merkulov AV; Novikov SV; Tret'yakov VV 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS