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浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Spoof surface plasmon polaritons based on ultrathin corrugated metallic grooves at terahertz frequency 期刊论文 2016, 卷号: 55, 页码: 1720-1724 作者:  Liu, Yan[1,2];  Yan, Jing[2];  Shao, Yao[3];  Pan, Jie[2];  Zhang, Chunfu[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/30 Theoretical analysis of performance enhancement in GeSn/SiGeSn light-emitting diode enabled by Si3N4liner stressor technique 期刊论文 2016, 卷号: 55, 页码: 9668-9674 作者:  Zhang, Qingfang[2];  Liu, Yan[1];  Han, Genquan[1];  Shao, Yao[3];  Gao, Xi[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30 Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction 期刊论文 2016, 卷号: 55 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Peng, Yue[1];  Liu, Yan[2] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30 Theoretical Investigation of Performance Enhancement in GeSn/SiGeSn Type-II Staggered Heterojunction Tunneling FET 期刊论文 2016, 卷号: 63, 页码: 303-310 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1];  Liu, Yan[2];  Hu, Shengdong[3];  Zhang, Chunfu[1] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/30 GeSn Quantum Well P-Channel Tunneling FETs Fabricated on Si(001) and (111) With Improved Subthreshold Swing 期刊论文 2016, 卷号: 37, 页码: 701-704 作者:  Han, Genquan[1];  Wang, Yibo[1];  Liu, Yan[1];  Zhang, Chunfu[1];  Feng, Qian[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/30 Simulation investigation of tensile strained GeSn fin photodetector with Si3N4 liner stressor for extension of absorption wavelength 期刊论文 2015, 卷号: 23, 页码: 739-746 作者:  Zhang, Qingfang[1];  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Zhang, Chunfu[2];  Hao, Yue[2] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/28 Design of GeSn-Based Heterojunction-Enhanced N-Channel Tunneling FET With Improved Subthreshold Swing and ON-State Current 期刊论文 2015, 卷号: 62, 页码: 1262-1268 作者:  Liu, Mingshan[1];  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Zhang, Chunfu[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28 Performance improvement in novel germanium-tin/germanium heterojunction-enhanced p-channel tunneling field-effect transistor 期刊论文 2015, 卷号: 83, 页码: 401-410 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Liu, Yan[1];  Liu, Mingshan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Zhang, Chunfu[2] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/28 Theoretical investigation of tensile strained GeSn waveguide with Si3N4 liner stressor for mid-infrared detector and modulator applications 期刊论文 2015, 卷号: 23, 页码: 7924-7932 作者:  Zhang, Qingfang[1];  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Zhang, Chunfu[2];  Hao, Yue[2] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/28 Investigation of performance enhancement in InAs/InGaAs heterojunction-enhanced N-channel tunneling field-effect transistor 期刊论文 2015, 卷号: 88, 页码: 90-98 作者:  Han, Genquan[1,2];  Zhao, Bin[1];  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Liu, Mingshan[1] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/28