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科研机构
半导体研究所 [5]
近代物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [1]
1996 [3]
1995 [1]
1994 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
半导体化学 [1]
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Pressure dependence of the electronic subband structure of strained in0.2ga0.8as/gaas mqws
期刊论文
Physica status solidi b-basic solid state physics, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335
作者:
Li, GH
;
Goni, AR
;
Syassen, K
;
Hou, HQ
;
Feng, W
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335
Li GH
;
Goni AR
;
Syassen K
;
Hou HQ
;
Feng W
;
Zhou JM
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/11/17
MULTIPLE QUANTUM-WELLS
HYDROSTATIC-PRESSURE
DEFORMATION POTENTIALS
EXCITON ABSORPTION
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
GAAS
High-pressure study of optical transitions in strained In0.2Ga0.8As/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 19, 页码: 13820-13826
Li GH
;
Goni AR
;
Syassen K
;
Hou HQ
;
Feng W
;
Zhou JM
收藏
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浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/11/17
HYDROSTATIC-PRESSURE
EXCITON ABSORPTION
DEFORMATION POTENTIALS
LAYER SUPERLATTICES
BAND OFFSET
PHOTOLUMINESCENCE
GAAS
SPECTROSCOPY
DEPENDENCE
TEMPERATURE
HIGH-PRESSURE STUDY OF GAMMA-X MIXING IN INAS/GAAS QUANTUM DOTS
期刊论文
journal of physics and chemistry of solids, 1995, 卷号: 56, 期号: 0, 页码: 385-388
LI GH
;
GONI AR
;
SYASSEN K
;
BRANDT O
;
PLOOG K
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/17
NANOSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
HIGH PRESSURE
LUMINESCENCE
HYDROSTATIC-PRESSURE
ELECTRONIC-STRUCTURE
GAAS MATRIX
SUPERLATTICES
TRANSITION
EXCITONS
STATE MIXING IN INAS/GAAS QUANTUM DOTS AT THE PRESSURE-INDUCED GAMMA-X CROSSING
期刊论文
physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 24, 页码: 18420-18425
LI GH
;
GONI AR
;
SYASSEN K
;
BRANDT O
;
PLOOG K
收藏
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浏览/下载:74/0
  |  
提交时间:2010/11/17
DIAMOND-ANVIL CELL
HYDROSTATIC-PRESSURE
ELECTRONIC-STRUCTURE
OPTICAL-PROPERTIES
GAAS MATRIX
SUPERLATTICES
SPECTROSCOPY
TRANSITION
EXCITONS
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