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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The study of how to reduce ILD loss in high-k and metal gate last process 会议论文 作者:  Zhao, Jie[1];  Gao, Hanjie[2];  Zeng, Yizhi[3];  Awut, Kurban[4];  Song, Woeiji[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/30 Interfacial layer development for 20nm high-k last integration scheme 会议论文 作者:  Gao, Hanjie[1];  Zhao, Jie[2];  Min, Jiahua[3];  Zeng, Yizhi[4];  Awut, Kurban[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/30