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Large Tunneling Magnetoresistance in van der Waals Ferromagnet/Semiconductor Heterojunctions
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2021, 卷号: 33, 期号: 51, 页码: 2104658
作者:
Zhu, Wenkai
;
Lin, Hailong
;
Yan, Faguang
;
Hu, Ce
;
Wang, Ziao
;
Zhao, Lixia
;
Deng, Yongcheng
;
Kudrynskyi, Zakhar R.
;
Zhou, Tong
;
Kovalyuk, Zakhar D.
;
Zheng, Yuanhui
;
Patane, Amalia
;
Zutic, Igor
;
Li, Shushen
;
Zheng, Houzhi
;
Wang, Kaiyou
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2022/03/28
Ferroelectric semiconductor junctions based on graphene/In2Se3/graphene van der Waals heterostructures
期刊论文
2D MATERIALS, 2021, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 45020
作者:
Xie, Shihong
;
Dey, Anubhab
;
Yan, Wenjing
;
Kudrynskyi, Zakhar R.
;
Balakrishnan, Nilanthy
;
Makarovsky, Oleg
;
Kovalyuk, Zakhar D.
;
Castanon, Eli G.
;
Kolosov, Oleg
;
Wang, Kaiyou
;
Patane, Amalia
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2022/03/24
Interlayer Band-to-Band Tunneling and Negative Differential Resistance in van der Waals BP/InSe Field-Effect Transistors
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 卷号: 30, 期号: 15, 页码: 1910713
作者:
Quanshan Lv
;
Faguang Yan
;
Nobuya Mori
;
Wenkai Zhu
;
Ce Hu
;
Zakhar R. Kudrynskyi
;
Zakhar D. Kovalyuk
;
Amalia Patanè
;
Kaiyou Wang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/11/05
Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 3
作者:
Wang, Yiming
;
Zhang, Jiawei
;
Liang, Guangda
;
Shi, Yanpeng
;
Zhang, Yifei
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 115, 期号: 3
作者:
Wang, Yiming
;
Zhang, Jiawei
;
Liang, Guangda
;
Shi, Yanpeng
;
Zhang, Yifei
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 6
作者:
Liang, Guangda
;
Wang, Yiming
;
Han, Lin
;
Yang, Zai-Xing
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/11
InSe
2D semiconductor
bias stress
PMMA encapsulation
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