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| レーザ装置および内燃機関 专利
专利号: JP2018157191A, 申请日期: 2018-10-04, 公开日期: 2018-10-04
作者: 萩田 健太郎; 軸谷 直人; 廣居 正樹
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| レーザ装置、点火装置および内燃機関 专利
专利号: JP2018152539A, 申请日期: 2018-09-27, 公开日期: 2018-09-27
作者: 泉谷 一磨; 萩田 健太郎; 東 康弘; 軸谷 直人
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| レーザ装置および内燃機関 专利
专利号: JP2018152549A, 申请日期: 2018-09-27, 公开日期: 2018-09-27
作者: 萩田 健太郎; 石川 陽一; 軸谷 直人; 池應 敏行; 佐々木 譲
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| レーザ光発生装置及びレーザ点火装置 专利
专利号: JP2017220630A, 申请日期: 2017-12-14, 公开日期: 2017-12-14
作者: 泉谷 一磨; 鈴土 剛; 萩田 健太郎; 池應 敏行
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| 光学窓部材、レーザ装置、点火装置及び内燃機関 专利
专利号: JP2017111278A, 申请日期: 2017-06-22, 公开日期: 2017-06-22
作者: 大倉 佑介; 萩田 健太郎; 鈴土 剛; 軸谷 直人
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| レーザ装置、点火装置及び内燃機関 专利
专利号: JP2016072610A, 申请日期: 2016-05-09, 公开日期: 2016-05-09
作者: 萩田 健太郎; 鈴土 剛; 東 康弘; 軸谷 直人; 沼田 雅之
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| 半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置 专利
专利号: CN104854766A, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者: 谷健太郎; 川上俊之; 有吉章
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| 氮化物半导体激光器及晶片 专利
专利号: CN101938085B, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16
作者: 谷健太郎; 谷善彦; 川上俊之
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| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者: 川上俊之; 神川刚; 谷健太郎
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| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者: 川上俊之; 神川刚; 谷健太郎
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