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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法 专利 专利号: CN110176398A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27 作者:  张鹏;  许聪基;  赖铭智 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/12/30