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一种绝缘体上硅二极管器件及其制备方法 专利
专利号: CN201110183539.1, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2011-11-16
作者:  罗家俊;  海潮和;  韩郑生;  毕津顺
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一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路 专利
专利号: CN200910244523.X, 申请日期: 2012-10-17, 公开日期: 2011-07-06
作者:  罗家俊;  韩郑生;  海潮和;  毕津顺
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一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法 专利
专利号: CN200910089598.5, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2011-02-02
作者:  罗家俊;  韩郑生;  海潮和;  毕津顺
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/04/08
一种CMOS集成电路抗辐照加固电路 专利
专利号: CN200910244519.3, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2011-07-06
作者:  韩郑生;  罗家俊;  毕津顺;  海潮和
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/04/08
一种ESD防护电阻 专利
专利号: CN201120565124.6, 申请日期: 2012-08-08,
作者:  李晶;  罗家俊;  韩郑生;  李多力;  曾传滨
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/04/07
晶体管测试装置及方法 专利
专利号: CN200910308495.3, 申请日期: 2012-08-01, 公开日期: 2010-12-29
作者:  毕津顺;  罗家俊;  韩郑生;  海潮和
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/04/08
一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 专利
专利号: CN200710064870.5, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2008-10-01
作者:  海潮和;  曾传滨;  李多力;  李晶;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26
一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构 专利
专利号: CN200810104231.1, 申请日期: 2012-01-18, 公开日期: 2009-10-21
作者:  曾传滨;  李晶;  海潮和;  李多力;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26
Preface 会议论文
Yantai, China, May 25, 2012 - May 27, 2012
作者:  Li, Hongnan;  Zhou, Xingang;  Chen, Chaohe;  Huang, Yong;  Bao, Longsheng
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/01/17
Preface 会议论文
Yantai, China, May 25, 2012 - May 27, 2012
作者:  Li, Hongnan;  Zhou, Xingang;  Chen, Chaohe;  Huang, Yong;  Bao, Longsheng
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