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| 光半導体素子および光半導体素子を用いた光干渉断層画像装置 专利 专利号: JP2009094372A, 申请日期: 2009-04-30, 公开日期: 2009-04-30 作者: 浅野 英樹
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| 半導体レーザおよび該半導体レーザを用いたレーザ発光装置 专利 专利号: JP3888487B2, 申请日期: 2006-12-08, 公开日期: 2007-03-07 作者: 浅野 英樹; 原田 明憲; 早川 利郎
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| 半導体レーザ装置および光通信装置 专利 专利号: JP2006269526A, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05 作者: 浅野 英樹
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| 半導体発光装置 专利 专利号: JP2001024271A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26 作者: 浅野 英樹; 和田 貢; 秋永 富士夫; 山中 英生; 大郷 毅
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| 半導体光機能装置 专利 专利号: JP2000277864A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06 作者: 浅野 英樹
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| 半導体発光装置 专利 专利号: JP2000252585A, 申请日期: 2000-09-14, 公开日期: 2000-09-14 作者: 浅野 英樹
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| 半導体レーザ 专利 专利号: JP1997266345A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07 作者: 浅野 英樹
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| 化合物半導体素子の製造方法 专利 专利号: JP1997022894A, 申请日期: 1997-01-21, 公开日期: 1997-01-21 作者: 浅野 英樹
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| 半導体発光装置 专利 专利号: JP1996250811A, 申请日期: 1996-09-27, 公开日期: 1996-09-27 作者: 浅野 英樹; 福永 敏明
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| 半導体発光素子の製造方法 专利 专利号: JP1995263802A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13 作者: 浅野 英樹
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