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| 面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
作者: 森 克己; 浅賀 達也; 岩野 英明
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| 面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3395194B2, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-04-07
作者: 森 克己; 浅賀 達也; 岩野 英明
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| 面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者: 森 克己; 浅賀 達也; 岩野 英明
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| 半導体レーザ及び半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3200916B2, 申请日期: 2001-06-22, 公开日期: 2001-08-20
作者: 浅賀 達也
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2629722B2, 申请日期: 1997-04-18, 公开日期: 1997-07-16
作者: 浅賀 達也
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| 面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP1994283818A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07
作者: 森 克己; 浅賀 達也; 岩野 英明; 近藤 貴幸
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1994125143A, 申请日期: 1994-05-06, 公开日期: 1994-05-06
作者: 浅賀 達也
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1993190977A, 申请日期: 1993-07-30, 公开日期: 1993-07-30
作者: 浅賀 達也
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1993190976A, 申请日期: 1993-07-30, 公开日期: 1993-07-30
作者: 浅賀 達也
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| 光素子の製造方法 专利
专利号: JP1993021815A, 申请日期: 1993-01-29, 公开日期: 1993-01-29
作者: 浅賀 達也; 渡辺 和昭; 岩野 英明
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