|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP3470476B2, 申请日期: 2003-09-12, 公开日期: 2003-11-25
作者: 小沢 正文; 樋江井 太
  收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997331101A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者: 樋江井 太
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997331114A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者: 樋江井 太; 玉村 好司
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997162500A, 申请日期: 1997-06-20, 公开日期: 1997-06-20
作者: 塚本 弘範; 樋江井 太
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| II-VI族化合物半導体の成長方法 专利
专利号: JP1995273054A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
作者: 石橋 晃; 伊藤 哲; 松元 理; 白石 誠司; 湊屋 理佳子
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| II-VI族化合物半導体及びその形成方法 专利
专利号: JP1994326138A, 申请日期: 1994-11-25, 公开日期: 1994-11-25
作者: 樋江井 太; 伊藤 哲; 秋本 克洋
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半導体表示装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1994244506A, 申请日期: 1994-09-02, 公开日期: 1994-09-02
作者: 伊藤 哲; 樋江井 太; 石橋 晃
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半導体レーザー 专利
专利号: JP1994061580A, 申请日期: 1994-03-04, 公开日期: 1994-03-04
作者: 奥山 浩之; 秋本 克洋; 宮嶋 孝夫; 小沢 正文; 森永 優子
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| II-VI族半導体素子の製法 专利
专利号: JP1995099211A, 公开日期: 1995-04-11
作者: 樋江井 太; 池田 昌夫; 松元 理
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| III-V 族半導体基板表面の処理方法 专利
专利号: JP1996045843A, 公开日期: 1996-02-16
作者: 伊藤 哲; 樋江井 太; 野口 裕泰; 石橋 晃
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/26 |
