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| Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体 专利
专利号: CN1734247B, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
作者: 柴田真佐知
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| 生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 专利
专利号: CN1249780C, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2006-04-05
作者: 柴田真佐知; 黑田尚孝
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| 基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法 专利
专利号: CN1218374C, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2005-09-07
作者: 碓井彰; 柴田真佐知; 大岛祐一
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| 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法 专利
专利号: CN1387231A, 申请日期: 2002-12-25, 公开日期: 2002-12-25
作者: 碓井彰; 柴田真佐知; 大岛祐一
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| Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺 专利
专利号: CN1378237A, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06
作者: 碓井彰; 柴田真佐知; 大岛祐一
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| AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ 专利
专利号: JP2001015801A, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-01-19
作者: 柴田 真佐知; 今野 泰一郎; 金田 直樹; 柴田 憲治
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| AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ 专利
专利号: JP2001007445A, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-01-12
作者: 柴田 真佐知; 今野 泰一郎; 金田 直樹; 柴田 憲治
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| 発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子 专利
专利号: JP2000307148A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02
作者: 柴田 憲治; 柴田 真佐知; 金田 直樹; 今野 泰一郎; 塚本 孝信
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| GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子 专利
专利号: JP1998107317A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
作者: 柴田 真佐知; 古屋 貴士
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| 発光素子 专利
专利号: JP1996167735A, 申请日期: 1996-06-25, 公开日期: 1996-06-25
作者: 海野 恒弘; 柴田 真佐知; 渡辺 真敏; 高橋 健; 隈 彰二
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