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| 一种高分子注浆材料注浆效果评价方法及注浆材料 专利
申请日期: 2019-08-13, 公开日期: 2019-08-13
作者: 葛茂新; 辛恒奇; 王维; 张殿振; 王琦
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 会议论文
作者: Li YY(李洋洋); Li XJ(李晓静) ; Li B(李博); Gao LC(高林春); Yan WW(闫薇薇)
收藏 | 浏览/下载：39/0 | 提交时间：2019/05/09 |
| Experimental study of single event transient characteristics on PDSOI CMOS inverter chain by pulse laser irradiation 会议论文
作者: Bo Mei; Qingkui Yu; Hongwei Zhang; Tang Min; Zhao X(赵星)
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/05/10 |
| Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method 期刊论文
Applied Physics A, 2018
作者: Wang RH(王瑞恒); Ceng CB(曾传滨); Li XJ(李晓静); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/03/27 |
| DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度 期刊论文
微电子学与计算机, 2018
作者: 李晓静; 韩郑生; 罗家俊; 高林春; 曾传滨
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2019/03/29 |
| A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017
作者: Ceng CB(曾传滨); Zhao FZ(赵发展); Yan WW(闫薇薇)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET 期刊论文
Chinese Physics B, 2017
作者: Yan WW(闫薇薇); Gao LC(高林春); Li XJ(李晓静); Zhao FZ(赵发展); Ceng CB(曾传滨)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| 基于ＰＤＳＯＩ的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究 期刊论文
微电子学与计算机, 2017
作者:
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器 专利
专利号: CN201620835458.3, 申请日期: 2017-01-18,
作者: 于猛; 韩郑生; 罗家俊; 闫薇薇; 曾传滨
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| 一种高速信号自隔离装置 专利
专利号: CN201620302318.X, 申请日期: 2016-11-23,
作者: 曾传滨; 刘梦新; 韩郑生; 罗家俊; 倪涛
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2017/06/01 |
