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| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2009296018A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
作者: 御友 重吾; 成井 啓修
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| 半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP4110595B2, 申请日期: 2008-04-18, 公开日期: 2008-07-02
作者: 成井 啓修
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| 平面發射型半導體雷射裝置及其製造方法 专利
专利号: TW200425605A, 申请日期: 2004-11-16, 公开日期: 2004-11-16
作者: 黑水勇一; 成井啓修; 山內義則; 田中嘉幸; 渡部義昭
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2004179209A, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24
作者: 日野 智公; 成井 啓修; 御友 重吾; 岡野 展賢
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| 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP3543628B2, 申请日期: 2004-04-16, 公开日期: 2004-07-14
作者: 冨岡 聡; 成井 啓修; 岡野 展賢
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| 光学装置 专利
专利号: JP3541416B2, 申请日期: 2004-04-09, 公开日期: 2004-07-14
作者: 佐原 健志; 成井 啓修; 土居 正人; 松田 修
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| 双方向光通信システム 专利
专利号: JP2003264513A, 申请日期: 2003-09-19, 公开日期: 2003-09-19
作者: 成井 啓修
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| 光学ピックアップ装置 专利
专利号: JP2002319176A, 申请日期: 2002-10-31, 公开日期: 2002-10-31
作者: 成井 啓修; 平田 照二
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| 半導体発光装置の製造方法 专利
专利号: JP2001244573A, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-09-07
作者: 御友 重吾; 岡野 展賢; 成井 啓修
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| 半導体レーザー 专利
专利号: JP3191359B2, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-07-23
作者: 成井 啓修; 松田 修
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