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| 半导体激光装置及其制造方法 专利
专利号: CN1744398B, 申请日期: 2012-02-15, 公开日期: 2012-02-15
作者: 畑雅幸; 别所靖之; 野村康彦; 庄野昌幸
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| 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利
专利号: JP2010258467A, 申请日期: 2010-11-11, 公开日期: 2010-11-11
作者: 畑 雅幸; 別所 靖之; 野村 康彦; 庄野 昌幸; 梶山 清治
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| 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利
专利号: JP2006269987A, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05
作者: 畑 雅幸; 別所 靖之; 野村 康彦; 庄野 昌幸; 梶山 清治
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| 半导体激光元件及其制造方法 专利
专利号: CN1841864A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04
作者: 山口勤; 畑雅幸; 狩野隆司; 庄野昌幸; 大保广树
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| 半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光拾取装置 专利
专利号: CN1841869A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04
作者: 畑雅幸; 别所靖之; 野村康彦; 庄野昌幸; 永冨谦司
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3634458B2, 申请日期: 2005-01-07, 公开日期: 2005-03-30
作者: 上谷 ▲高▼弘; 庄野 昌幸
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| 半導体層のキャリア濃度の設定方法及び半導体レーザのキャリア濃度の設定方法 专利
专利号: JP3490923B2, 申请日期: 2003-11-07, 公开日期: 2004-01-26
作者: 本多 正治; 浜田 弘喜; 庄野 昌幸; ▲廣▼山 良治
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP3373975B2, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2003-02-04
作者: 畑 雅幸; 廣山 良治; 庄野 昌幸
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| 半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10
作者: ▲広▼山 良治; 上谷 ▲高▼弘; 太田 潔; 米田 幸司; 庄野 昌幸
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| 自励発振型半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3249291B2, 申请日期: 2001-11-09, 公开日期: 2002-01-21
作者: 庄野 昌幸; 本多 正治; 池上 隆俊; 別所 靖之; 茨木 晃
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