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面発光型レーザ素子 专利
专利号: JP2009117540A, 申请日期: 2009-05-28, 公开日期: 2009-05-28
作者:  平岩 浩二;  岩井 則広;  高木 啓史
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面発光レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2007142375A, 申请日期: 2007-06-07, 公开日期: 2007-06-07
作者:  田邉 衣加;  池永 賀彦;  岩井 則広;  影山 健生;  平岩 浩二
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面発光型半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2004014747A, 申请日期: 2004-01-15, 公开日期: 2004-01-15
作者:  濱 威;  椎名 泰一;  岩井 則広
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3276674B2, 申请日期: 2002-02-08, 公开日期: 2002-04-22
作者:  岩井 則広;  粕川 秋彦
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2001111169A, 申请日期: 2001-04-20, 公开日期: 2001-04-20
作者:  岩井 則広;  舟橋 政樹;  向原 智一;  粕川 秋彦
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3133555B2, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2001-02-13
作者:  岩井 則広;  伊地知 哲朗
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長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法 专利
专利号: JP2000232250A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:  岩井 則広;  向原 智一;  横内 則之;  粕川 秋彦
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半導体光集積装置及びその作製方法 专利
专利号: JP2000232252A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:  岩井 則広;  向原 智一;  山口 武治;  粕川 秋彦
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半導体レーザ素子及びその作製方法 专利
专利号: JP2000151017A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30
作者:  岩井 則広;  向原 智一;  粕川 秋彦
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半導体レーザ素子及びその作製方法 专利
专利号: JP2000151019A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30
作者:  岩井 則広;  向原 智一;  粕川 秋彦
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