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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化物半导体装置的制造方法 专利 专利号: CN102130425A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 作者:  大野彰仁;  竹见政义;  山本高裕 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体発光素子 专利 专利号: JP2009071341A, 申请日期: 2009-04-02, 公开日期: 2009-04-02 作者:  大野 彰仁;  蔵本 恭介 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光元件 专利 专利号: CN101154796A, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2008-04-02 作者:  大野彰仁;  竹见政义;  富田信之 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体元件以及半导体元件的制造方法 专利 专利号: CN1783525A, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2006-06-07 作者:  大野彰仁;  竹见政义;  富田信之 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半導體發光元件 专利 专利号: TW200845436A, 公开日期: 2008-11-16 作者:  大野彰仁;  本恭介 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26