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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响 期刊论文 河北大学学报（自然科学版）, 2015, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 243-246,252 作者:  闫小兵[1];  史守山[2];  娄建忠[3];  郑树凯[4];  曹智[5] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/21 IGZO  沉积压强  光学性质  电学性质   含Ag 电极的非晶In-Ga-Zn-O 薄膜的阻变开关特性 期刊论文 人工晶体学报, 2014, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 811-814,0819 作者:  娄建忠[1];  贾长江[2];  郝华[3];  张二鹏[4];  史守山[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/21 阻变开关  IGZO 薄膜  Ag 电极  开关机制   In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算 期刊论文 中国粉体技术, 2014, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 33-36 作者:  闫小兵[1];  史守山[2];  郝华[3] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 In-Ga共掺杂  电子结构  光学性质  第一性原理   真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究 期刊论文 人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 2304-2308 作者:  闫小兵[1];  张二鹏[2];  贾长江[3];  史守山[4];  娄建忠[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 In-Ga-Zn-O薄膜  退火温度  磁控溅射  光学带隙   溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响 期刊论文 人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 1343-1346,1352 作者:  张锁良[1];  贾长江[2];  郝彦磊[3];  史守山[4];  张二鹏[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/21 In-Ga-Zn-O薄膜  溅射功率  电阻率  禁带宽度  透过率   含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究 期刊论文 人工晶体学报, 2012, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 1276-1279,1285 作者:  闫小兵[1];  史守山[2];  贾长江[3];  张二鹏[4];  李钗[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/21 阻变开关  STO  Ti反应电极  开关机制  脉冲激光沉积