CORC

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
马克思主义地理学及其中国化:规划与实践反思 期刊论文
《地理研究》, 2016, 卷号: 35, 页码: 1399-1419
作者:  蔡运龙[1];  叶超[2] 特雷弗·巴恩斯[3];  保继刚[4];  蒋锦洪[5];  杨永春[6]
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/04/24
中国城市化质量的时空分异研究 期刊论文
2015, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 114-118
作者:  史佳璐[1];  王成新[1];  刘洪颜[1]
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/04
中国城市化速度及其时空演化探析 期刊论文
2015, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 95-99
作者:  刘洪颜[1];  王成新[1];  史佳璐[1]
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/04
Germanium PMOSFETs with Low-Temperature Si2H6 Passivation Featuring High Hole Mobility and Superior Negative Bias Temperature Instability Germanium PMOSFETs with Low-Temperature Si2H6 Passivation Featuring High Hole Mobility and Superior Negative Bias Temperature Instability 期刊论文
2014, 页码: 191-194
作者:  王洪娟[1];  韩根全[1];  刘艳[1];  颜静[1];  张春福[2]
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/11/28
Temperature dependent IDS–VGS characteristics of an N-channel Si tunneling field-effect transistor with a germanium source on Si(110) substrate Temperature dependent IDS–VGS characteristics of an N-channel Si tunneling field-effect transistor with a germanium source on Si(110) substrate 期刊论文
2014, 页码: 32-35
作者:  刘艳[1];  颜静[1];  王洪娟[1];  韩根全[1]
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/11/29
Temperature dependent IDS-VGS characteristics of an N-channel Si tunneling field-effect transistor with a germanium source on Si(llO) substrate Temperature dependent IDS-VGS characteristics of an N-channel Si tunneling field-effect transistor with a germanium source on Si(llO) substrate 期刊论文
2014, 页码: 28-31
作者:  刘艳[1];  颜静[1];  王洪娟[1];  韩根全[1]
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/29
基于环糊精构建的基因载体进展 期刊论文
化学进展, 2014, 卷号: 26, 页码: 375-384
作者:  徐妮为[1];  刘梦艳[2];  洪诗斌[3];  颜蔚[4];  付继芳[5]
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/04/30
山东省东部沿海地区与鲁西地区可持续发展比较研究 期刊论文
2014, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 71-75
作者:  史佳璐[1];  王成新[1];  刘洪颜[1]
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/31
山东省省级以上开发区土地集约利用评价研究 期刊论文
2014, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 128-133
作者:  王成新[1];  刘洪颜[1];  史佳璐[1];  刘凯[1]
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/28


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace