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The effect of nanometre-scale V-pits on electronic and optical properties and efficiency droop of GaN-based green light-emitting diodes 期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 11053
作者:  Zhou, Shengjun*;  Liu, Xingtong;  Yan, Han;  Gao, Yilin;  Xu, Haohao
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The effect of nanometre-scale V-pits on electronic and optical properties and efficiency droop of GaN-based green light-emitting diodes 期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8
作者:  Zhou, Shengjun;  Liu, Xingtong;  Yan, Han;  Gao, Yilin;  Xu, Haohao
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/05
氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响 期刊论文
发光学报, 2018, 期号: 05
作者:  许毅;  吴庆丰;  周圣军;  潘拴;  吴小明
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05
氮化镓基绿光LED 中V 坑对空穴电流分布的影响 期刊论文
发光学报, 2018, 卷号: 39
作者:  许毅;  吴庆丰;  周圣军;  潘拴;  吴小明
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05
长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法 专利
专利号: 200610148065.6, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:  1、陆卫;  2、全知觉;  3、李志锋;  4、李宁;  5、甄红楼
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/07/06
光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法 专利
专利号: 2.005101229555E11, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:  陈贵宾 陆卫 全知觉 王少伟 李志锋
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/07/06
新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计 期刊论文
红外, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 7-11
作者:  胡伟达;  陈效双;  全知觉
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2011/08/30
碲镉汞红外探测器的性能分析研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:  全知觉
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/07/11
光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2007, 期号: 1
作者:  全知觉;  李志锋;  胡伟达;  叶振华;  陆卫
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/08/18
Quantum-mechanical effects and gate leakage current of nanoscale n-type FinFETs: A 2d simulation study 期刊论文
Microelectronics Journal, 2006, 卷号: 37
作者:  Weida Hu;  Xiaoshuang Chen *;  Xuchang Zhou;  Zhijue Quan;  Lu Wei
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