×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
西安光学精密机械研究... [3]
长春光学精密机械与物... [2]
物理研究所 [1]
金属研究所 [1]
新疆理化技术研究所 [1]
武汉大学 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [7]
专利 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2022 [2]
2017 [1]
2016 [3]
2008 [2]
2005 [1]
2002 [1]
更多...
学科主题
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
The effects of Eu3+ doping on the epitaxial growth and photovoltaic properties of BiFeO3 thin films
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2022, 卷号: 106, 页码: 49-55
作者:
Feng, Dingshuai
;
Huang, Biaohong
;
Li, Lingli
;
Li, Xiaoqi
;
Gu, Youdi
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2022/07/01
Ferroelectric
Photovoltaic effect
BiFeO3
Eu3+ doping
Band gap
Electrical and Optoelectrical Dual-Modulation in Perovskite-Based Vertical Field-Effect Transistors
期刊论文
Acs Photonics, 2022, 页码: 10
作者:
Y. T. Zou
;
Y. R. Shi
;
B. Wang
;
M. X. Liu
;
J. R. An
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2023/06/14
Visible to near-infrared photodetectors based on MoS2 vertical Schottky junctions
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2017, 卷号: 28, 期号: 48
作者:
Gong, Fan
;
Fang, Hehai
;
Wang, Peng
;
Su, Meng
;
Li, Qing
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/05
MoS2
vertical Schottky junction
dark current
photodetectors
基于一维结型纳米材料的新爆炸物蒸气电学传感方法研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
杨政
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2016/09/27
爆炸物检测
非制式爆炸物
光电检测
气敏
肖特基结
Self-Powered Solar-Blind Photodetector with Fast Response Based on Au/beta-Ga2O3 Nanowires Array Film Schottky Junction
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2016, 卷号: 8, 期号: 6
作者:
Chen, X.
;
K. W. Liu
;
Z. Z. Zhang
;
C. R. Wang
;
B. H. Li
收藏
  |  
浏览/下载:72/0
  |  
提交时间:2017/09/11
Characterization of vertical Au/beta-Ga2O3 single-crystal Schottky photodiodes with MBE-grown high-resistivity epitaxial layer
期刊论文
Chin. Phys. B, 2016, 卷号: 25, 期号: 1
作者:
Liu XZ(刘兴钊)
;
Yue C(岳超)
;
Zhang WL(张万里)
;
Xia ZT(夏长泰)
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2017/12/25
High speed data channel including a CMOS vcsel driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver
专利
专利号: IN224512B, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-12-05
作者:
BOZSO, FERENC, M
;
EMMA, PHILIP, G
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Ultrafast and high-sensitivity photovoltaic effects in TiN/Si Schottky junction
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 41, 期号: 19
Xing, J
;
Jin, KJ
;
He, M
;
Lu, HB
;
Liu, GZ
;
Yang, GZ
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/09/23
NITRIDE THIN-FILMS
TITANIUM NITRIDE
ELECTRONIC-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
DETECTORS
SI
DEPOSITION
CONTACTS
High speed data channel including a CMOS vcsel driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver
专利
专利号: SG111871A1, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29
作者:
BOZSO, FERENC, M.
;
EMMA, PHILIP, G.
收藏
  |  
浏览/下载:89/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522
Wei X
;
Wang GH
;
Zhang GZ
;
Zhu XP
;
Ma XY
;
Chen LH
收藏
  |  
浏览/下载:81/2
  |  
提交时间:2010/08/12
high resolution X-ray diffraction
precursor
metalorganic chemical vapor depositions
gallium compounds
LASER-DIODES
SOLAR-CELLS
BAND-GAP
GAINNAS
DIMETHYLHYDRAZINE
GROWTH
PYROLYSIS
EPITAXY
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace