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武汉大学 [1]
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A High-Voltage (> 600 V) N-Island LDMOS With Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016
Hu, Yue
;
Wang, Hao
;
Du, Caixia
;
Ma, Miaomiao
;
Chan, Mansun
;
He, Jin
;
Wang, Gaofeng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
Breakdown voltage (BV)
lateral double-diffused MOS (LDMOS)
N-island (NIS)
partial silicon-on-insulator (PSOI)
step-doped drift (SDD) region
BURIED P LAYER
POWER LDMOS
IMPROVEMENT
DEVICES
TRENCH
FILM
TRANSISTOR
A High-Voltage (> 600 V) N-Island LDMOS With Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 5
作者:
Hu, Yue
;
Wang, Hao
;
Du, Caixia
;
Ma, Miaomiao
;
Chan, Mansun
收藏
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浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Breakdown voltage (BV)
lateral double-diffused MOS (LDMOS)
N-island (NIS)
partial silicon-on-insulator (PSOI)
step-doped drift (SDD) region
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