QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of sige heterojunction bipolar transistor using si2h6 gas and ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Semiconducting gegermanium  Semiconducting silicon  Bipolar transistors  Heterojunction semiconductor devices   Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices   Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：149/5  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices  POWER